2N6317 PBFREE

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-66-2

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

60 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

60 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2 V

ゲイン帯域幅積fT：

4 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

シリーズ：

2N63

DC電流ゲインhFEMax：

100 at 2.5 A, 4 V

包装：

チューブ

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

7 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20 at 2.5 A, 4 V

Pd-消費電力：

90 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2N631, 2N63, 2N6