EFC6611R-A-TF

製品属性

属性値

メーカー

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ

FET-アレイ

シリーズ

*

包装

リール

取り付けスタイル

SMD / SMT

パッケージ-ケース

CSP6

テクノロジー

Si

作動温度

-

取付タイプ

-

チャネル数

1 Channel

サプライヤー-デバイス-パッケージ

-

構成

1 N-Channel

FETタイプ

-

パワーマックス

-

トランジスタタイプ

1 N-Channel

Drain-to-Source-Voltage-Vdss

-

入力-静電容量-Ciss-Vds

-

FET機能

-

Current-Continuous-Drain-Id-25°C

-

Rds-On-Max-Id-Vgs

-

Vgs-th-Max-Id

-

ゲートチャージ-Qg-Vgs

-

Pd-電力損失

2.5 W

最高作動温度

+ 150 C

最低作動温度

- 55 C

立ち下がり時間

17700 ns

立ち上がり時間

570 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage

8 V

Id-連続-ドレイン-電流

27 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧

12 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage

4 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance

3.2 mOhms

トランジスタ-極性

Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間

38000 ns

典型的なターンオン遅延時間

80 ns

Qg-Gate-Charge

120 nC

フォワード-相互コンダクタンス-最小

19 S

チャネルモード

強化

開発キット

-

Tags

EFC6611R-A, EFC6611, EFC661, EFC6, EFC