FQI12N60TU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

10.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

700 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3.13 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

高さ：

7.88 mm

長さ：

10.29 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

4.83 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

立ち下がり時間：

85 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

115 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

95 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns

単位重量：

0.054004 oz

Tags

FQI12N6, FQI12N, FQI12, FQI1, FQI