PTFA260451E V1

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

160 mOhms

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 200 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

包装：

トレイ

構成：

独身

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

チャネルモード：

強化

Pd-消費電力：

199 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 0.5 V to 12 V

パーツ番号エイリアス：

FA260451EV1XP

Tags

PTFA2604, PTFA260, PTFA26, PTFA2, PTFA, PTF