IXFN200N10P

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

シャーシマウント

パッケージ/ケース：

SOT-227-4

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

200 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.5 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

680 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

9.6 mm

長さ：

38.23 mm

シリーズ：

IXFN200N10

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

25.42 mm

ブランド：

IXYS

立ち下がり時間：

90 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35 ns

ファクトリーパックの数量：

10

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

150 ns

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns

単位重量：

1.058219 oz

Tags

IXFN20, IXFN2, IXFN, IXF