A2T23H200W23SR6

製品属性

属性値

メーカー：

NXP

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

デュアルNチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

1.8 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

- 500 mV, 65 V

利得：

15.5 dB

出力電力：

51 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ACP-1230S-4

包装：

リール

動作周波数：

2300 MHz to 2400 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

NXPセミコンダクターズ

チャネル数：

2 Channel

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

150

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 6 V, 10 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.1 V

パーツ番号エイリアス：

935347117128

単位重量：

0 oz

Tags

A2T23H, A2T23, A2T2, A2T