2SC2714-O(T

2SC2714-O(TE85L,F) vs 2SC2714-O(T5L,T) vs 2SC2714-O(TE85LF)CT-ND

 
PartNumber2SC2714-O(TE85L,F)2SC2714-O(T5L,T)2SC2714-O(TE85LF)CT-ND
DescriptionRF Bipolar Transistors RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
ManufacturerToshiba--
Product CategoryRF Bipolar Transistors--
RoHSY--
Series2SC2714--
Transistor TypeBipolar--
TechnologySi--
Transistor PolarityNPN--
DC Collector/Base Gain hfe Min40--
Collector Emitter Voltage VCEO Max30 V--
Emitter Base Voltage VEBO4 V--
Continuous Collector Current20 mA--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 125 C--
ConfigurationSingle--
Mounting StyleSMD/SMT--
Package / CaseSC-59-3--
PackagingReel--
Collector Base Voltage VCBO40 V--
DC Current Gain hFE Max200--
Operating Frequency550 MHz (Typ)--
Operating Temperature Range- 55 C to + 125 C--
TypeFM Frequency Amplifier--
BrandToshiba--
Pd Power Dissipation100 mW--
Product TypeRF Bipolar Transistors--
Factory Pack Quantity3000--
SubcategoryTransistors--
Unit Weight0.000282 oz--
メーカー モデル 説明 RFQ
Toshiba
Toshiba
2SC2714-O(TE85L,F) RF Bipolar Transistors RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
2SC2714-O(TE85L,F) RF Bipolar Transistors RF Device FM band 30V Amp 23dB 100mW
2SC2714-O(T5L,T) ブランドニューオリジナル
2SC2714-O(TE85LF)CT-ND ブランドニューオリジナル
2SC2714-O(TE85LF)DKR-ND ブランドニューオリジナル
2SC2714-O(TE85LF)TR-ND ブランドニューオリジナル
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