BSB

BSB028N06NN3 G vs BSB044N08NN3 G vs BSB028N06NN3GXUMA1

 
PartNumberBSB028N06NN3 GBSB044N08NN3 GBSB028N06NN3GXUMA1
DescriptionMOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
ManufacturerInfineonInfineon-
Product CategoryMOSFETMOSFET-
RoHSYY-
TechnologySiSi-
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMT-
Package / CaseWDSON-2-3WDSON-2-3-
Number of Channels1 Channel1 Channel-
Transistor PolarityN-ChannelN-Channel-
Vds Drain Source Breakdown Voltage60 V80 V-
Id Continuous Drain Current90 A90 A-
Rds On Drain Source Resistance2.8 mOhms3.7 mOhms-
Vgs Gate Source Voltage20 V20 V-
Qg Gate Charge108 nC73 nC-
Minimum Operating Temperature- 40 C- 40 C-
Maximum Operating Temperature+ 150 C+ 150 C-
Pd Power Dissipation78 W78 W-
ConfigurationSingleSingle-
TradenameOptiMOSOptiMOS-
PackagingReelReel-
Height0.7 mm0.7 mm-
Length6.35 mm6.35 mm-
SeriesOptiMOS 3OptiMOS 3-
Transistor Type1 N-Channel1 N-Channel-
Width5.05 mm5.05 mm-
BrandInfineon TechnologiesInfineon Technologies-
Fall Time6 ns7 ns-
Moisture SensitiveYesYes-
Product TypeMOSFETMOSFET-
Rise Time9 ns9 ns-
Factory Pack Quantity50005000-
SubcategoryMOSFETsMOSFETs-
Typical Turn Off Delay Time38 ns26 ns-
Typical Turn On Delay Time21 ns14 ns-
Part # AliasesBSB028N06NN3GXUMA1 BSB28N6NN3GXT SP000605956BSB044N08NN3GXUMA1 BSB44N8NN3GXT SP000604542-
Vgs th Gate Source Threshold Voltage-2 V-
Channel Mode-Enhancement-
Forward Transconductance Min-36 S-
  • 皮切りに
  • BSB 95
メーカー モデル 説明 RFQ
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSB165N15NZ3 G MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
BSB056N10NN3 G MOSFET N-Ch 100V 83A CanPAK3 MN OptiMOS 3
BSB028N06NN3 G MOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
BSB165N15NZ3GXUMA1 MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
BSB280N15NZ3 G MOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
BSB044N08NN3 G MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
BSB104N08NP3GXUSA1 MOSFET MV POWER MOS
BSB044N08NN3GXUMA1 MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
BSB028N06NN3 G MOSFET N-Ch 60V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
BSB028N06NN3GXUMA1 MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2
BSB056N10NN3 G Trans MOSFET N-CH 100V 9A 7-Pin WDSON
BSB056N10NN3GXUMA1 MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
BSB104N08NP3GXUSA1 MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
BSB165N15NZ3 G MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
BSB165N15NZ3GXUMA1 MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
BSB280N15NZ3GXUMA1 MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
BSB044N08NN3GXUMA1 MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
BSB053N03LP G MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
BSB044N08NN3 G MOSFET N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
BSB280N15NZ3 G RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSB056N10NN3GXUMA1 MOSFET MV POWER MOS
BSB280N15NZ3GXUMA1 MOSFET MV POWER MOS
TXC
TXC
BSB1270002 Standard Clock Oscillators 212.5MHz 3.3V 0C +70C
BSB1270002 XTAL OSC XO 212.5000MHZ LVPECL
BSB280N15NZ3GXT Trans MOSFET N-CH 150V 9A 7-Pin WDSON - Tape and Reel (Alt: BSB280N15NZ3GXUMA1)
BSB028N06NN3G Trans MOSFET N-CH 60V 22A 7-Pin WDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSB028N06NN3GXUMA1)
BSB044N08NN3 G3 ブランドニューオリジナル
BSB044N08NN3GTR ブランドニューオリジナル
BSB04505HA ブランドニューオリジナル
BSB05505HP ブランドニューオリジナル
BSB104N08NP3 G ブランドニューオリジナル
BSB12SA ブランドニューオリジナル
BSB14D Circuit Breaker Accessories SEL. HANDLE-BLACK
BSB150N15NZ3 G Trans MOSFET N-CH 150V 48A 7-Pin WDSON T/R (Alt: BSB150N15NZ3 G)
BSB150N15NZ3G ブランドニューオリジナル
BSB16GCDRS4EM ブランドニューオリジナル
BSB17N03LX3G ブランドニューオリジナル
BSB3220D-4R7M-C3 ブランドニューオリジナル
BSB3505D ブランドニューオリジナル
BSB352 ブランドニューオリジナル
BSB600000B ブランドニューオリジナル
BSB6SN ブランドニューオリジナル
BSB028N06NN3 ブランドニューオリジナル
BSB044N08NN ブランドニューオリジナル
BSB044N08NN3G ブランドニューオリジナル
BSB104N08NP3G 80V,10.4m��,50A,N-Ch Power MOSFET
BSB053N03LPG Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 0.0053ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
BSB056N10NN3G Trans MOSFET N-CH 100V 9A 7-Pin WDSON-2 T/R (Alt: SP000604540)
BSB165N15NZ3G Trans MOSFET N-CH 150V 9A 7-Pin WDSON-2 T/R (Alt: BSB165N15NZ3 G)
BSB280N15NZ3G Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 150V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
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