BSG0813ND

BSG0813NDIATMA1 vs BSG0813ND vs BSG0813NDI

 
PartNumberBSG0813NDIATMA1BSG0813NDBSG0813NDI
DescriptionMOSFET LV POWER MOS
ManufacturerInfineonInfineon TechnologiesInfineon Technologies
Product CategoryMOSFETFETs - ArraysFETs - Arrays
RoHSY--
TechnologySiSiSi
Mounting StyleSMD/SMT--
Package / CaseTISON-8--
Transistor PolarityN-Channel--
Vds Drain Source Breakdown Voltage25 V--
TradenameOptiMOS--
PackagingReelTape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)
Height1.15 mm--
Length6 mm--
SeriesOptiMOS 5**
Width5 mm--
BrandInfineon Technologies--
Product TypeMOSFET--
Factory Pack Quantity5000--
SubcategoryMOSFETs--
Part # AliasesBSG0813NDI SP001241676--
Part Aliases-BSG0813NDI SP001241676BSG0813NDI SP001241676
Package Case-8-PowerTDFN8-PowerTDFN
Operating Temperature--55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type-Surface MountSurface Mount
Supplier Device Package-PG-TISON-8PG-TISON-8
FET Type-2 N-Channel (Dual) Asymmetrical2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Power Max-2.5W2.5W
Drain to Source Voltage Vdss-25V25V
Input Capacitance Ciss Vds-1100pF @ 12V1100pF @ 12V
FET Feature-Logic Level Gate, 4.5V DriveLogic Level Gate, 4.5V Drive
Current Continuous Drain Id 25°C-19A, 33A19A, 33A
Rds On Max Id Vgs-3 mOhm @ 20A, 10V3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs th Max Id-2V @ 250μA2V @ 250μA
Gate Charge Qg Vgs-8.4nC @ 4.5V8.4nC @ 4.5V
メーカー モデル 説明 RFQ
Infineon Technologies
Infineon Technologies
BSG0813NDIATMA1 MOSFET LV POWER MOS
BSG0813NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 19A/33A 8TISON
BSG0813ND ブランドニューオリジナル
BSG0813NDI ブランドニューオリジナル
BSG0813ND1 ブランドニューオリジナル
BSG0813NDATMA1 ブランドニューオリジナル
BSG0813NDIATMA1INFINEON- ブランドニューオリジナル
BSG0813NDIATMA1-CUT TAPE ブランドニューオリジナル
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