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| PartNumber | FDS8876 | FDS8878 | FDS8870 |
| Description | MOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET |
| Manufacturer | ON Semiconductor | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| RoHS | Y | Y | Y |
| Technology | Si | Si | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 | SO-8 | SO-8 |
| Number of Channels | 1 Channel | 1 Channel | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 30 V | 30 V | 30 V |
| Id Continuous Drain Current | 12.5 A | 10.2 A | 18 A |
| Rds On Drain Source Resistance | 6.8 mOhms | 14 mOhms | 4.2 mOhms |
| Vgs Gate Source Voltage | 20 V | 20 V | 20 V |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - 55 C | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | + 150 C | + 150 C |
| Pd Power Dissipation | 2.5 W | 2.5 W | 2.5 W |
| Configuration | Single | Single | Single |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement | Enhancement |
| Tradename | PowerTrench | PowerTrench | PowerTrench |
| Packaging | Reel | Reel | Reel |
| Height | 1.75 mm | 1.75 mm | 1.75 mm |
| Length | 4.9 mm | 4.9 mm | 4.9 mm |
| Series | FDS8876 | FDS8878 | FDS8870 |
| Transistor Type | 1 N-Channel | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| Width | 3.9 mm | 3.9 mm | 3.9 mm |
| Brand | ON Semiconductor / Fairchild | ON Semiconductor / Fairchild | ON Semiconductor / Fairchild |
| Fall Time | 19 ns | 18 ns | 21 ns |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| Rise Time | 34 ns | 29 ns | 48 ns |
| Factory Pack Quantity | 2500 | 2500 | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | MOSFETs |
| Typical Turn Off Delay Time | 53 ns | 45 ns | 60 ns |
| Typical Turn On Delay Time | 8 ns | 9 ns | 9 ns |
| Part # Aliases | FDS8876_NL | FDS8878_NL | FDS8870_NL |
| Unit Weight | 0.004586 oz | 0.004586 oz | 0.004586 oz |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
ON Semiconductor / Fairchild |
FDS8876 | MOSFET 30V 12.5A 8.2 OHMS NCH | |
| FDS8878 | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET | ||
| FDS8870 | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench MOSFET | ||
| FDS8878-F123 | MOSFET 30V N-CHAN 10.2A | ||
| FDS8878S | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8878_F123 | IGBT Transistors MOSFET 30V N-CHAN 10.2A | ||
| FDS8870-NBSC001 | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8870-NL | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8870-NL. | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8870AS | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8870N3 | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8870NC | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8874-NL | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8876 , 1N5259B | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8876-NL | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8876_07 | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8878-NL | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8878-CUT TAPE | ブランドニューオリジナル | ||
| FDS8878-F123 | MOSFET 30V N-CHAN 10.2A | ||
ON Semiconductor |
FDS8870 | MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC | |
| FDS8874 | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | ||
| FDS8876 | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8SOIC | ||
| FDS8878 | MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC | ||
| FDS8870_G | INTEGRATED CIRCUIT |