FF800R12KL

FF800R12KL4C vs FF800R12KL4CB1 vs FF800R12KL4CNOSA1

 
PartNumberFF800R12KL4CFF800R12KL4CB1FF800R12KL4CNOSA1
DescriptionIGBT Modules 1200V 800A DUALIGBT MODULE 1200V 800A
ManufacturerEUPEC--
Product CategoryModule--
ProductIGBT Silicon Modules--
Mounting StyleScrew--
Package CaseIHM--
ConfigurationDual--
Pd Power Dissipation5 kW--
Maximum Operating Temperature+ 125 C--
Minimum Operating Temperature- 40 C--
Collector Emitter Voltage VCEO Max1200 V--
Collector Emitter Saturation Voltage2.1 V--
Continuous Collector Current at 25 C1250 A--
Gate Emitter Leakage Current600 nA--
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 20 V--
メーカー モデル 説明 RFQ
FF800R12KL4C IGBT Modules 1200V 800A DUAL
FF800R12KL4CB1 ブランドニューオリジナル
FF800R12KL4C_B1 ブランドニューオリジナル
Infineon Technologies
Infineon Technologies
FF800R12KL4CNOSA1 IGBT MODULE 1200V 800A
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