FGA60N6 stock, FGA60N6, FGA60N65SMD


PartNumber	FGA60N65SMD	FGA60N60UFDTU
Description	IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT	IGBT Transistors 600V 60A FIELD STOP
Manufacturer	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Product Category	IGBT Transistors	IGBT Transistors
RoHS	Y	Y
Technology	Si	Si
Package / Case	TO-3PN	-
Mounting Style	Through Hole	Through Hole
Collector Emitter Voltage VCEO Max	650 V	600 V
Collector Emitter Saturation Voltage	1.9 V	-
Maximum Gate Emitter Voltage	20 V	20 V
Continuous Collector Current at 25 C	120 A	120 A
Pd Power Dissipation	600 W	-
Series	FGA60N65SMD	FGA60N60UFD
Packaging	Tube	Tube
Brand	ON Semiconductor / Fairchild	ON Semiconductor / Fairchild
Gate Emitter Leakage Current	400 nA	-
Product Type	IGBT Transistors	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	450	450
Subcategory	IGBTs	IGBTs
Unit Weight	0.225789 oz	0.225789 oz
Configuration	-	Single
Minimum Operating Temperature	-	- 55 C
Maximum Operating Temperature	-	+ 150 C

Search Part Number : "FGA60N6", Match & Start with "FGA60N6" - Total : 12

メーカー	モデル	説明
ON Semiconductor / Fairchild	FGA60N65SMD	IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT
ON Semiconductor / Fairchild	FGA60N60UFDTU	IGBT Transistors 600V 60A FIELD STOP
ON Semiconductor	FGA60N60UFDTU	IGBT Transistors 600V 60A FIELD STOP
ON Semiconductor	FGA60N65SMD	IGBT Transistors 650V, 60A Field Stop IGBT
	FGA60N65SMD--	ブランドニューオリジナル
	FGA60N60	ブランドニューオリジナル
	FGA60N60RUFD	ブランドニューオリジナル
	FGA60N60UFD	ブランドニューオリジナル
	FGA60N60UFDTU,FGA60N60UF	ブランドニューオリジナル
	FGA60N65	ブランドニューオリジナル
	FGA60N655MD	ブランドニューオリジナル
	FGA60N66SMD	ブランドニューオリジナル

FGA60N6