HN4A

HN4A06J(TE85L,F) vs HN4A06J vs HN4A06J / 53

 
PartNumberHN4A06J(TE85L,F)HN4A06JHN4A06J / 53
DescriptionBipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
ManufacturerToshiba Semiconductor and StorageTOSHIBA-
Product CategoryTransistors (BJT) - ArraysTransistors (BJT) - Arrays-
Series---
PackagingDigi-ReelR Alternate Packaging--
Package CaseSC-74A, SOT-753--
Mounting TypeSurface Mount--
Supplier Device PackageSMV--
Power Max300mW--
Transistor Type2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter--
Current Collector Ic Max100mA--
Voltage Collector Emitter Breakdown Max120V--
DC Current Gain hFE Min Ic Vce200 @ 2mA, 6V--
Vce Saturation Max Ib Ic300mV @ 1mA, 10mA--
Current Collector Cutoff Max100nA (ICBO)--
Frequency Transition100MHz--
メーカー モデル 説明 RFQ
Toshiba
Toshiba
HN4A56JU(TE85L,F) Bipolar Transistors - BJT USV PLN TRANSISTOR Pd=300mW F=1MHz
HN4A51JTE85LF Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
HN4A06J(TE85L,F) Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
HN4A51JTE85LF Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A
HN4A06J(TE85LF)CT-ND ブランドニューオリジナル
HN4A06J(TE85LF)DKR-ND ブランドニューオリジナル
HN4A51JTE85LFCT-ND ブランドニューオリジナル
HN4A51JTE85LFDKR-ND ブランドニューオリジナル
HN4A51JTE85LFTR-ND ブランドニューオリジナル
HN4A56JU(TE85LF)CT-ND ブランドニューオリジナル
HN4A56JU(TE85LF)DKR-ND ブランドニューオリジナル
HN4A56JU(TE85LF)TR-ND ブランドニューオリジナル
HN4A06J ブランドニューオリジナル
HN4A06J / 53 ブランドニューオリジナル
HN4A06J(TE85LF) ブランドニューオリジナル
HN4A08J ブランドニューオリジナル
HN4A51J ブランドニューオリジナル
HN4A56JU ブランドニューオリジナル
HN4A56JU(TE85L,F) ブランドニューオリジナル
HN4A56JU(TE85LF) ブランドニューオリジナル
HN4A71FK ブランドニューオリジナル
HN4A74FK ブランドニューオリジナル
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