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| PartNumber | IGT40R070D1E8220ATMA1 | IGT60R070D1ATMA1 | IGT60R190D1SATMA1 |
| Description | Bipolar Transistors - BJT | MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor | MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor |
| Manufacturer | Infineon | Infineon | Infineon |
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | MOSFET | MOSFET |
| RoHS | Y | Y | Y |
| Packaging | Reel | Reel | Reel |
| Brand | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | MOSFET | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 2000 | 2000 | 2000 |
| Subcategory | Transistors | MOSFETs | MOSFETs |
| Part # Aliases | E8220 IGT40R070D1 SP001946158 | SP001300364 | SP001701702 |
| Technology | - | GaN | GaN |
| Mounting Style | - | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | - | PG-HSOF-8 | PG-HSOF-8 |
| Number of Channels | - | 1 Channel | 1 Channel |
| Transistor Polarity | - | N-Channel | N-Channel |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | - | 600 V | 600 V |
| Id Continuous Drain Current | - | 31 A | 12.5 A |
| Rds On Drain Source Resistance | - | 70 mOhms | 190 mOhms |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | - | 0.9 V | 0.9 V |
| Vgs Gate Source Voltage | - | 10 V | 10 V |
| Qg Gate Charge | - | 5.8 nC | 3.2 nC |
| Minimum Operating Temperature | - | - 55 C | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | - | + 150 C | + 150 C |
| Pd Power Dissipation | - | 125 W | 55.5 W |
| Configuration | - | Single | Single |
| Channel Mode | - | Enhancement | Enhancement |
| Tradename | - | CoolGaN | CoolGaN |
| Transistor Type | - | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| Fall Time | - | 13 ns | 12 ns |
| Rise Time | - | 8 ns | 5 ns |
| Typical Turn Off Delay Time | - | 13 ns | 12 ns |
| Typical Turn On Delay Time | - | 12 ns | 11 ns |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
IGT40R070D1E8220ATMA1 | Bipolar Transistors - BJT | |
| IGT60R070D1ATMA1 | MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor | ||
| IGT60R190D1SATMA1 | MOSFET 600V CoolGaN Power Transistor | ||
| IGT60R070D1ATMA1 | IC GAN FET 600V 60A 8HSOF | ||
| IGT60R190D1SATMA1 | IC GAN FET 600V 23A 8HSOF | ||
| IGT1-3508 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT101421-601 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT1421003-01 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT201935-148 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT201977-001 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT201977-001 , 2SC5178- | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT202DA1E | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT2151 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT2351(N) | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT2731L120 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT2731M130 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT3050 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT3135M135/S | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT4251 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT4D10 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT5259M25 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT60R190D1S | Coolgan 600V 12,5A 140mOhm HSOF | ||
| IGT637627-001 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT6D10 | Insulated Gate Bipolar Transisto | ||
| IGT6D11 | - Bulk (Alt: IGT6D11) | ||
| IGT7E20CS | Transisto | ||
| IGT8E21 | - Bulk (Alt: IGT8E21) | ||
| IGT99267-SST | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT99267G-ST | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT99268B | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT99268C-Y42(D095) | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT99268GC-P42-E | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT99268GC-SUBI-E(D096) | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT99268M-SST | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT99353M-SUBI-E | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT99353M-SUBI-E , 2SC51 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGT99353M-SUBI-E(D122) | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTA47898-001-E5 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTA54362-001A | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTA55666 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTA55666 IGTA55666-006 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTA55666-006 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTA78486-002 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTA92595-001 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTB-NAA | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTC10692-001 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTD1200480R25-L | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTD48365-001-E5 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTH10N40 | ブランドニューオリジナル | ||
| IGTH10N50 | Transisto |