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| PartNumber | IPB023N04N | IPB023N04NG | IPB023N04N G |
| Description | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IGBT Transistors MOSFET N-Ch 40V 90A D2PAK-2 |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
| IPB023N04N | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB023N04NG | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | ||
| IPB023N04NGS | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB023N04N G | IGBT Transistors MOSFET N-Ch 40V 90A D2PAK-2 | ||
Infineon Technologies |
IPB023N04NGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3 |