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| PartNumber | IPB072N15N3 G | IPB072N15N3GATMA1 | IPB070N06L G |
| Description | MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 |
| Manufacturer | Infineon | Infineon | - |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | - |
| RoHS | Y | Y | - |
| Technology | Si | Si | - |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
| Package / Case | TO-263-3 | TO-263-3 | - |
| Number of Channels | 1 Channel | 1 Channel | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | N-Channel | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 150 V | 150 V | - |
| Id Continuous Drain Current | 100 A | 100 A | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 7.2 mOhms | 5.8 mOhms | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 2 V | 2 V | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 10 V | 20 V | - |
| Qg Gate Charge | 70 nC | 93 nC | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - 55 C | - |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | + 175 C | - |
| Pd Power Dissipation | 300 W | 300 W | - |
| Configuration | Single | Single | - |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement | - |
| Tradename | OptiMOS | OptiMOS | - |
| Packaging | Reel | Reel | - |
| Height | 4.4 mm | 4.4 mm | - |
| Length | 10 mm | 10 mm | - |
| Series | OptiMOS 3 | OptiMOS 3 | - |
| Transistor Type | 1 N-Channel | 1 N-Channel | - |
| Width | 9.25 mm | 9.25 mm | - |
| Brand | Infineon Technologies | Infineon Technologies | - |
| Forward Transconductance Min | 65 S | 65 S | - |
| Fall Time | 14 ns | 14 ns | - |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | - |
| Rise Time | 35 ns | 35 ns | - |
| Factory Pack Quantity | 1000 | 1000 | - |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | - |
| Typical Turn Off Delay Time | 46 ns | 46 ns | - |
| Typical Turn On Delay Time | 25 ns | 25 ns | - |
| Part # Aliases | IPB072N15N3GATMA1 IPB72N15N3GXT SP000386664 | G IPB072N15N3 IPB72N15N3GXT SP000386664 | - |
| Unit Weight | 0.139332 oz | 0.068654 oz | - |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
IPB072N15N3 G | MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | |
| IPB072N15N3GATMA1 | MOSFET N-Ch 150V 100A D2PAK-2 OptiMOS 3 | ||
| IPB073N15N5ATMA1 | MOSFET | ||
| IPB073N15N5ATMA1 | MV POWER MOS | ||
| IPB070N06L G | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 | ||
| IPB072N15N3GATMA1 | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | ||
| IPB072N15N3GE8187ATMA1 | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 | ||
| IPB075N04LGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3 | ||
| IPB072N15N3G | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 | ||
| IPB072N15N3G 072N15N | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB070N06LG | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB070N06N G | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB072N15N | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB072N15N3 | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB072N15N3 G | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-263 | ||
| IPB072N15N3 G E8187 | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB072N15N3 G FDB075N1 | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB072N15N3 G(SP00038666 | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB072N15N3G , 2SD1935 | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB072N15N3G(SP000386664 | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB073N15N5 | Trans MOSFET N-CH 150V 114A 3-Pin TO-263 T/R (Alt: IPB073N15N5) | ||
| IPB075N04L | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB075N04LG | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | ||
| IPB07N03 | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB07N03L | 80 A, 30 V, 0.0097 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB | ||
| IPB07N03L (PSI) | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB07N03L 07N03L | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB07N03L E3045A | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB07N03LAG | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB07N03LE3045A | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB07N03LG | ブランドニューオリジナル | ||
| IPB075N04L G | IGBT Transistors MOSFET N-Ch 40V 50A D2PAK-2 |