IPP065N04

IPP065N04N G vs IPP065N04N vs IPP065N04N G,IPP065N04NG

 
PartNumberIPP065N04N GIPP065N04NIPP065N04N G,IPP065N04NG
DescriptionMOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3
ManufacturerInfineon--
Product CategoryMOSFET--
RoHSY--
TechnologySi--
Mounting StyleThrough Hole--
Package / CaseTO-220-3--
Number of Channels1 Channel--
Transistor PolarityN-Channel--
Vds Drain Source Breakdown Voltage40 V--
Id Continuous Drain Current50 A--
Rds On Drain Source Resistance6.5 mOhms--
Vgs Gate Source Voltage20 V--
Qg Gate Charge26 nC--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 175 C--
Pd Power Dissipation68 W--
ConfigurationSingle--
TradenameOptiMOS--
PackagingTube--
Height15.65 mm--
Length10 mm--
Transistor Type1 N-Channel--
Width4.4 mm--
BrandInfineon Technologies--
Fall Time3.6 nS--
Product TypeMOSFET--
Rise Time2.8 ns--
Factory Pack Quantity500--
SubcategoryMOSFETs--
Typical Turn Off Delay Time17 nS--
Part # AliasesIPP065N04NGXKSA1 SP000648268--
Unit Weight0.211644 oz--
メーカー モデル 説明 RFQ
Infineon Technologies
Infineon Technologies
IPP065N04N G MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3
IPP065N04N ブランドニューオリジナル
IPP065N04N G,IPP065N04NG ブランドニューオリジナル
IPP065N04N G,IPP065N04NG,065N04NG, ブランドニューオリジナル
IPP065N04N3 G ブランドニューオリジナル
IPP065N04NG Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 40V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IPP065N04NG,065N04N ブランドニューオリジナル
IPP065N04NG,065N04N,IPP0 ブランドニューオリジナル
IPP065N04NG,IPP065N04N G ブランドニューオリジナル
IPP065N04NG,IPP065N04N G, 065N04N ブランドニューオリジナル
IPP065N04NG,IPP06CNE8NG, ブランドニューオリジナル
IPP065N04NG,IPP06CNE8NG,065N04N,06CNE8N, ブランドニューオリジナル
Infineon Technologies
Infineon Technologies
IPP065N04N G IGBT Transistors MOSFET N-Ch 40V 50A TO220-3 OptiMOS 3
Top