IPP1

IPP12CNE8N G vs IPP139N08N3 G vs IPP13N03LB G

 
PartNumberIPP12CNE8N GIPP139N08N3 GIPP13N03LB G
DescriptionMOSFET N-Ch 85V 67A TO220-3MOSFET N-Ch 80V 45A TO220-3 OptiMOS 3MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
ManufacturerInfineonInfineon-
Product CategoryMOSFETMOSFET-
RoHSYY-
TechnologySiSi-
Mounting StyleThrough HoleThrough Hole-
Package / CaseTO-220-3TO-220-3-
Number of Channels1 Channel1 Channel-
Transistor PolarityN-ChannelN-Channel-
Vds Drain Source Breakdown Voltage85 V80 V-
Id Continuous Drain Current67 A45 A-
Rds On Drain Source Resistance12.9 mOhms13.6 mOhms-
Vgs Gate Source Voltage20 V20 V-
Minimum Operating Temperature- 55 C- 55 C-
Maximum Operating Temperature+ 175 C+ 175 C-
Pd Power Dissipation125 W79 W-
ConfigurationSingleSingle-
Channel ModeEnhancementEnhancement-
PackagingTubeTube-
Height15.65 mm15.65 mm-
Length10 mm10 mm-
Transistor Type1 N-Channel1 N-Channel-
Width4.4 mm4.4 mm-
BrandInfineon TechnologiesInfineon Technologies-
Fall Time8 ns5 ns-
Product TypeMOSFETMOSFET-
Rise Time21 ns35 ns-
Factory Pack Quantity500500-
SubcategoryMOSFETsMOSFETs-
Typical Turn Off Delay Time32 ns18 ns-
Typical Turn On Delay Time17 ns12 ns-
Part # AliasesIPP12CNE8NGXKIPP139N08N3GXKSA1 SP000680870-
Unit Weight0.211644 oz0.211644 oz-
Vgs th Gate Source Threshold Voltage-2.8 V-
Qg Gate Charge-19 nC-
Tradename-OptiMOS-
Forward Transconductance Min-48 S, 24 S-
メーカー モデル 説明 RFQ
Infineon Technologies
Infineon Technologies
IPP16CN10NGXKSA1 MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3
IPP147N12N3 G MOSFET N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3
IPP16CN10N G MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3 OptiMOS 2
IPP16CN10NGHKSA1 MOSFET N-CH 100V TO-220
IPP12CNE8N G MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
IPP13N03LB G MOSFET N-CH 30V 30A TO-220
IPP147N03L G MOSFET N-CH 30V 20A TO-220-3
IPP16CNE8N G MOSFET N-CH 85V 53A TO-220
IPP147N12N3GXKSA1 MOSFET N-CH 120V 56A TO220-3
IPP14N03LA MOSFET N-CH 25V 30A TO-220AB
IPP16CN10LGXKSA1 MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3
IPP16CN10NGXKSA1 MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3
IPP139N08N3 G IGBT Transistors MOSFET N-Ch 80V 45A TO220-3 OptiMOS 3
Infineon Technologies
Infineon Technologies
IPP147N12N3GXKSA1 MOSFET MV POWER MOS
IPP12CNE8N G MOSFET N-Ch 85V 67A TO220-3
IPP147N03L G MOSFET N-Ch 30V 20A TO220-3 OptiMOS 3
IPP139N08N3 G MOSFET N-Ch 80V 45A TO220-3 OptiMOS 3
IPP16CN10NG Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 100V, 0.0165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IPP147N12N3GXK Trans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-220 - Rail/Tube (Alt: IPP147N12N3GXKSA1)
IPP12CNE8N ブランドニューオリジナル
IPP12CNE8NG ブランドニューオリジナル
IPP139N08N ブランドニューオリジナル
IPP139N08N,139N08N,IPP13 ブランドニューオリジナル
IPP139N08N3 ブランドニューオリジナル
IPP139N08N3 G-S ブランドニューオリジナル
IPP139N08N3G Trans MOSFET N-CH 80V 45A 3-Pin TO-220 Tube - Bulk (Alt: IPP139N08N3G)
IPP139N08N3GXKSA1 - Bulk (Alt: IPP139N08N3GXKSA1)
IPP13N03LBG ブランドニューオリジナル
IPP147N03LG Power Field-Effect Transistor, 20AI(D),30V,0.0217ohm, 1-Element,N-Channel,Silicon,Metal-oxide Semiconductor FET,TO-220AB
IPP147N03LG,147N03L ブランドニューオリジナル
IPP147N03LGHKSA1 ブランドニューオリジナル
IPP147N03LGS ブランドニューオリジナル
IPP147N12N ブランドニューオリジナル
IPP147N12N3G Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 120V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
IPP147N12N3G(147N12) ブランドニューオリジナル
IPP147N12N3G,147N12N ブランドニューオリジナル
IPP15N03L ブランドニューオリジナル
IPP16CN10L ブランドニューオリジナル
IPP16CN10LG ブランドニューオリジナル
IPP16CN10N ブランドニューオリジナル
IPP16CN10NG HF ブランドニューオリジナル
IPP16CN10NG(16CN10N) ブランドニューオリジナル
IPP16CN10NG,16CN10N ブランドニューオリジナル
IPP16CN10NG,IPP16CN10N,1 ブランドニューオリジナル
IPP16CN10NGHKSA1 , 2SD87 ブランドニューオリジナル
IPP16CN10NGXKSA1 , 2SD88 ブランドニューオリジナル
IPP16CNE8N ブランドニューオリジナル
IPP147N12N3 G Darlington Transistors MOSFET N-Ch 120V 56A TO220-3 OptiMOS 3
IPP16CN10N G MOSFET N-Ch 100V 53A TO220-3 OptiMOS 2
IPP139N08N3GHKSA1 MOSFET N-Ch 80V 45A TO220-3
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