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| PartNumber | IRF723 | IRF7233 TR | IRF7233D |
| Description | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||
| Manufacturer | IR | - | - |
| Product Category | FETs - Single | - | - |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
Infineon / IR |
IRF7233TRPBF | MOSFET MOSFT PCh -12V -9.5A 20mOhm 49nC | |
| IRF723 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | ||
| IRF7233 TR | ブランドニューオリジナル | ||
| IRF7233D | ブランドニューオリジナル | ||
| IRF7233PFB | ブランドニューオリジナル | ||
| IRF7233T | ブランドニューオリジナル | ||
| IRF7233TRPBF. | ブランドニューオリジナル | ||
| IRF7233TRPFB | ブランドニューオリジナル | ||
| IRF723FI | ブランドニューオリジナル | ||
Infineon Technologies |
IRF7233 | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC | |
| IRF7233PBF | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC | ||
| IRF7233TR | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC | ||
| IRF7233TRPBF | MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC |