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| PartNumber | LND150K1-G | LND150N3-G | LND01K1-G |
| Description | MOSFET MOSFET DEPL-MODE 500V 1K | MOSFET 500V 1KOhm | MOSFET Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode |
| Manufacturer | Microchip | Microchip | Microchip |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| RoHS | Y | Y | Y |
| Technology | Si | Si | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Through Hole | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | TO-92-3 | SOT-23-5 |
| Number of Channels | 1 Channel | 1 Channel | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 500 V | 500 V | 9 V |
| Id Continuous Drain Current | 13 mA | 30 mA | 330 mA |
| Rds On Drain Source Resistance | 1 kOhms | 1 kOhms | 1.4 Ohms |
| Vgs Gate Source Voltage | 20 V | 20 V | 600 mV |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - 55 C | - |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | + 150 C | + 125 C |
| Pd Power Dissipation | 360 mW | 740 mW | 360 mW |
| Configuration | Single | Single | Single |
| Channel Mode | Depletion | Depletion | Depletion |
| Packaging | Reel | Bulk | Reel |
| Product | MOSFET Small Signal | MOSFET Small Signal | - |
| Transistor Type | 1 N-Channel | 1 N-Channel | 1 N-Channel |
| Brand | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| Forward Transconductance Min | 1 mOhms | 1 mOhms | - |
| Fall Time | 1.3 us | 1.3 us | 6.4 ns |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| Rise Time | 0.45 us | 0.45 us | 11 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | 1000 | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | MOSFETs |
| Typical Turn Off Delay Time | 0.1 us | 100 ns | 1 ns |
| Typical Turn On Delay Time | 0.09 us | 90 ns | 3.8 ns |
| Unit Weight | 0.000282 oz | 0.007760 oz | 0.000222 oz |
| Height | - | 5.33 mm | - |
| Length | - | 5.21 mm | - |
| Type | - | FET | - |
| Width | - | 4.19 mm | - |
| Series | - | - | LND01 |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
Microchip Technology |
LND150K1-G | MOSFET MOSFET DEPL-MODE 500V 1K | |
| LND150N3-G | MOSFET 500V 1KOhm | ||
| LND150N8-G | MOSFET 500V 1KOhm | ||
| LND01K1-G | MOSFET Lateral N-Ch MOSFET Depletion-Mode | ||
| LND150N3-G-P002 | MOSFET DepletionMode MOSFET | ||
| LND150N3-G-P014 | MOSFET DepletionMode MOSFET | ||
| LND150N3-G-P013 | MOSFET DepletionMode MOSFET | ||
| LND150N3-G-P003 | MOSFET DepletionMode MOSFET | ||
| LND250K1-G | MOSFET 500V 1KOhm | ||
| LND150N3-G P005 | MOSFET DepletionMode MOSFET | ||
| LND150K1-G-CUT TAPE | ブランドニューオリジナル | ||
| LND150N8-G-CUT TAPE | ブランドニューオリジナル | ||
| LND01K1-G | MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5 | ||
| LND150N3-G P005 | RF Bipolar Transistors MOSFET DepletionMode MOSFET | ||
| LND-1201 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND-1202 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND-1210 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND-1211 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND-1630 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND-1804 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND-2009 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND-2423E | ブランドニューオリジナル | ||
| LND-300H/200B | ブランドニューオリジナル | ||
| LND-3606E | ブランドニューオリジナル | ||
| LND-4812E | ブランドニューオリジナル | ||
| LND-7202 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND01K1 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND056 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND14NV04 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND150 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND150K1 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND150K1-G | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | ||
| LND150N3 | MOSFET 500V 1KOhm | ||
| LND150N3-G | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | ||
| LND150N3-G-P002 | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | ||
| LND150N3-G-P003 | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | ||
| LND150N3-G-P013 | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | ||
| LND150N3-G-P014 | MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3 | ||
| LND150N8 | MOSFET 500V 1KOhm | ||
| LND150N8-G | MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3 | ||
| LND150N8-G/MICROCHIP | ブランドニューオリジナル | ||
| LND150N8-GMICROCHIP | ブランドニューオリジナル | ||
| LND150N8/P024 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND150N8G | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-243AA | ||
| LND15N-G | ブランドニューオリジナル | ||
| LND217A | ブランドニューオリジナル | ||
| LND250 | ブランドニューオリジナル | ||
| LND250K1 | MOSFET 500V 1KOhm | ||
| LND250K1-G | MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3 | ||
| LND250K1G | ブランドニューオリジナル |