NSS40200L

NSS40200LT1G vs NSS40200LT1 vs NSS40200LT1G , FHK2314-U

 
PartNumberNSS40200LT1GNSS40200LT1NSS40200LT1G , FHK2314-U
DescriptionBipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
ManufacturerON Semiconductor--
Product CategoryBipolar Transistors - BJT--
RoHSY--
Mounting StyleSMD/SMT--
Package / CaseSOT-23-3--
Transistor PolarityPNP--
ConfigurationSingle--
Collector Emitter Voltage VCEO Max- 40 V--
Collector Base Voltage VCBO- 40 V--
Emitter Base Voltage VEBO7 V--
Collector Emitter Saturation Voltage- 0.135 V--
Maximum DC Collector Current2 A--
Gain Bandwidth Product fT100 MHz--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
SeriesNSS40200L--
Height0.94 mm--
Length2.9 mm--
PackagingReel--
Width1.3 mm--
BrandON Semiconductor--
Continuous Collector Current- 2 A--
DC Collector/Base Gain hfe Min250--
Pd Power Dissipation460 mW--
Product TypeBJTs - Bipolar Transistors--
Factory Pack Quantity3000--
SubcategoryTransistors--
Unit Weight0.000282 oz--
メーカー モデル 説明 RFQ
NSS40200LT1G Bipolar Transistors - BJT LESHANBE (CN1) XTR
NSS40200LT1 ブランドニューオリジナル
NSS40200LT1G , FHK2314-U ブランドニューオリジナル
NSS40200LT1G 772 ブランドニューオリジナル
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NSS40200LT1G ブランドニューオリジナル
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