NTZD3155CT

NTZD3155CT1G vs NTZD3155CT1G , FMA2T148 vs NTZD3155CT1G,THS123,BCP5

 
PartNumberNTZD3155CT1GNTZD3155CT1G , FMA2T148NTZD3155CT1G,THS123,BCP5
DescriptionMOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
ManufacturerON Semiconductor--
Product CategoryMOSFET--
RoHSY--
TechnologySi--
Mounting StyleSMD/SMT--
Package / CaseSOT-563-6--
Number of Channels2 Channel--
Transistor PolarityN-Channel, P-Channel--
Vds Drain Source Breakdown Voltage20 V--
Id Continuous Drain Current540 mA--
Rds On Drain Source Resistance550 mOhms, 900 mOhms--
Vgs Gate Source Voltage6 V--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
Pd Power Dissipation250 mW--
ConfigurationDual--
Channel ModeEnhancement--
PackagingReel--
Height0.55 mm--
Length1.6 mm--
ProductMOSFET Small Signal--
SeriesNTZD3155C--
Transistor Type1 N-Channel, 1 P-Channel--
Width1.2 mm--
BrandON Semiconductor--
Fall Time4 ns, 12 ns--
Product TypeMOSFET--
Rise Time4 ns, 12 ns--
Factory Pack Quantity4000--
SubcategoryMOSFETs--
Typical Turn Off Delay Time16 ns, 35 ns--
Typical Turn On Delay Time6 ns, 10 ns--
Unit Weight0.000106 oz--
メーカー モデル 説明 RFQ
NTZD3155CT1G MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
NTZD3155CT2G MOSFET COMP 540mA 20V
NTZD3155CT1G , FMA2T148 ブランドニューオリジナル
NTZD3155CT1G,THS123,BCP5 ブランドニューオリジナル
NTZD3155CT1G/DMG1016V-7 ブランドニューオリジナル
NTZD3155CT5H ブランドニューオリジナル
NTZD3155CTIG ブランドニューオリジナル
NTZD3155CT1G-CUT TAPE ブランドニューオリジナル
ON Semiconductor
ON Semiconductor
NTZD3155CT5G MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
NTZD3155CT1H MOSFET COMP SOT563 20V 540MA TR
NTZD3155CT1G ブランドニューオリジナル
NTZD3155CT2G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
NTZD3155CT1H IGBT Transistors MOSFET COMP SOT563 20V 540MA TR
NTZD3155CT5G IGBT Transistors MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
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