PTFB1825

PTFB182503FL-V2-R0 vs PTFB182503EL-V1-R0 vs PTFB182503EL-V1-R250

 
PartNumberPTFB182503FL-V2-R0PTFB182503EL-V1-R0PTFB182503EL-V1-R250
DescriptionRF MOSFET Transistors RF LDMOS FETIC AMP RF LDMOS H-33288-6IC AMP RF LDMOS
ManufacturerCree, Inc.--
Product CategoryRF MOSFET Transistors--
RoHSY--
Transistor PolarityN-Channel--
TechnologySi--
Vds Drain Source Breakdown Voltage65 V--
Rds On Drain Source Resistance30 mOhms--
Gain19 dB--
Output Power240 W--
Maximum Operating Temperature+ 200 C--
Mounting StyleSMD/SMT--
Package / CaseH-34288-4/2--
PackagingReel--
Operating Frequency1805 MHz to 1880 MHz--
TypeRF Power MOSFET--
BrandWolfspeed / Cree--
Number of Channels1 Channel--
Product TypeRF MOSFET Transistors--
Factory Pack Quantity50--
SubcategoryMOSFETs--
Vgs Gate Source Voltage10 V--
メーカー モデル 説明 RFQ
N/A
N/A
PTFB182503FL-V2-R0 RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET
PTFB182503FL-V2-R250 RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET
PTFB182503EL-V1-R0 IC AMP RF LDMOS H-33288-6
PTFB182503EL-V1-R250 IC AMP RF LDMOS
PTFB182503FL-V2-R0 IC AMP RF LDMOS H-34288-4
PTFB182503FL-V2-R250 IC AMP RF LDMOS
PTFB182557SH-V1-R250 IC AMP RF LDMOS
PTFB182557SHV1R250XTMA1 RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS 9
PTFB182503FLV2R0XTMA1 RF MOSFET Transistors
PTFB182503ELV1R0XTMA1 RF MOSFET Transistors
PTFB182503EL V1 RF MOSFET Transistors RFP-LDMOS 9
PTFB182503EL ブランドニューオリジナル
PTFB182503EL V1 R250 ブランドニューオリジナル
PTFB182503ELV1 ブランドニューオリジナル
PTFB182503FL ブランドニューオリジナル
PTFB182503FL V2 ブランドニューオリジナル
PTFB182503FL V2 R250 ブランドニューオリジナル
PTFB182503FLS ブランドニューオリジナル
PTFB182503FLS250 ブランドニューオリジナル
PTFB182503FLV2S 250 ブランドニューオリジナル
PTFB182557SH ブランドニューオリジナル
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