OMO ElectronicOMO Electronic
Expand menu
0 ショッピングカート

SEMI

SEMIX302GAR12E4S vs SEMIX302GB126HDS vs SEMIX302GB126HS

 
PartNumberSEMIX302GAR12E4SSEMIX302GB126HDSSEMIX302GB126HS
Description
メーカー モデル 説明 RFQ
SEMIX302GAR12E4S ブランドニューオリジナル
SEMIX302GB126HDS ブランドニューオリジナル
SEMIX302GB126HS ブランドニューオリジナル
SEMIX302GB128D IGBT 4 (Trench)
SEMIX302GB128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX302GB12E4S ブランドニューオリジナル
SEMIX302GB12T4S ブランドニューオリジナル
SEMIX302KD16S SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A
SEMIX302KH16S SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A
SEMIX302KT16S SEMIX, Trench Rectifier Thyristor Module, 1600V, 300A
SEMIX303GB12E4 ブランドニューオリジナル
SEMIX303GB12E4S IGBT MODULE, DUAL, 1.2KV, 466A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:466A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)
SEMIX303GB12V ブランドニューオリジナル
SEMIX303GB12VS ブランドニューオリジナル
SEMIX303GD12E4C ブランドニューオリジナル
SEMIX303GD12T4C ブランドニューオリジナル
SEMIX303GD12VC ブランドニューオリジナル
SEMIX341D16S RECTIFIER MODULE, 1.6KV, 340A, SEMIX 13S, No. of Phases:Three Phase, Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1.6kV, Forward Current If(AV):340A, Bridge Rectifier Case Style:Module, Forward Voltage VF
SEMIX352GAL128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX352GAR128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX352GB128D ブランドニューオリジナル
SEMIX352GB128DS IGBT POWER MODULE, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:377A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.35V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.15V,
SEMIX353GB126HDS IGBT, 1200 V, 250 A @ 25 DegC, 260 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degC
SEMIX353GB126V1 ブランドニューオリジナル
SEMIX353GB126V3 ブランドニューオリジナル
SEMIX353GB128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX353GB176HDS ブランドニューオリジナル
SEMIX353GD126HDC SEMIX, Trench IGBT Module, 1200V, 300A
SEMIX353GD126HDS ブランドニューオリジナル
SEMIX402GA066HDS ブランドニューオリジナル
SEMIX402GAL066HDS SEMIX, Trench IGBT Module, 600V, 400A
SEMIX402GB066HDS IGBT MODULE, DUAL, 600V, 530A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:530A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V, Power Dissipation Pd:45W, Collector Emitter Voltage V(b
SEMIX403GB128D ブランドニューオリジナル
SEMIX404GB12E4S SEMIX, Trench IGBT Module, 1200V, 400A
SEMIX452GAR12 ブランドニューオリジナル
SEMIX452GB126HD ブランドニューオリジナル
SEMIX453GB12E4 ブランドニューオリジナル
SEMIX453GB12E4P ブランドニューオリジナル
SEMIX453GB12E4S IGBT, MODULE, 1.2KV, 683A, SEMIX 3S, Transistor Polarity:Dual N Channel, DC Collector Current:683A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Vo
SEMIX453GB12T4S Insulated Gate Bipolar Transistor, 685A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
SEMIX453GB12VS ブランドニューオリジナル
SEMIX453GB176HDS IGBT MODULE, 1.7KV, 444A, SEMIX 3S, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:444A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7kV, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage
SEMIX453GD12VC ブランドニューオリジナル
SEMIX501D17FS SEMIX, Trench IGBT Module, 1700V, 800A
SEMIX503GB126HDS IGBT, 1200 V, 490 A @ 25 DegC, 480 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degC
SEMIX503GB126V3 ブランドニューオリジナル
SEMIX553GB128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX603GAR066HDS SEMIX, Trench IGBT Module, 600V, 800A
SEMIX402GB066HD ブランドニューオリジナル
SEMIX553GB128D ブランドニューオリジナル
Top