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SEMIX35

SEMIX352GAL128DS vs SEMIX352GAR128DS vs SEMIX352GB128D

 
PartNumberSEMIX352GAL128DSSEMIX352GAR128DSSEMIX352GB128D
Description
メーカー モデル 説明 RFQ
SEMIX352GAL128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX352GAR128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX352GB128D ブランドニューオリジナル
SEMIX352GB128DS IGBT POWER MODULE, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:377A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.35V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.15V,
SEMIX353GB126HDS IGBT, 1200 V, 250 A @ 25 DegC, 260 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degC
SEMIX353GB126V1 ブランドニューオリジナル
SEMIX353GB126V3 ブランドニューオリジナル
SEMIX353GB128DS ブランドニューオリジナル
SEMIX353GB176HDS ブランドニューオリジナル
SEMIX353GD126HDC SEMIX, Trench IGBT Module, 1200V, 300A
SEMIX353GD126HDS ブランドニューオリジナル
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