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| PartNumber | SI9926CDY-T1-E3 | SI9926CDY-T1-GE3 | SI9926BDY-T1-E3 |
| Description | MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8 | MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8 | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9926CDY-T1-GE3 |
| Manufacturer | Vishay | Vishay | Vishay |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| RoHS | E | Y | E |
| Technology | Si | Si | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
| Package / Case | SO-8 | SO-8 | - |
| Number of Channels | 2 Channel | 2 Channel | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | N-Channel | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 20 V | 20 V | - |
| Id Continuous Drain Current | 8 A | 8 A | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 18 mOhms | 18 mOhms | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 600 mV | 600 mV | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 4.5 V | 4.5 V | - |
| Qg Gate Charge | 22 nC | 22 nC | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - 55 C | - |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | + 150 C | - |
| Pd Power Dissipation | 3.1 W | 3.1 W | - |
| Configuration | Dual | Dual | - |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement | - |
| Tradename | TrenchFET | TrenchFET | TrenchFET |
| Packaging | Reel | Reel | Reel |
| Height | 1.75 mm | 1.75 mm | - |
| Length | 4.9 mm | 4.9 mm | - |
| Series | SI9 | SI9 | SI9 |
| Transistor Type | 2 N-Channel | 2 N-Channel | - |
| Width | 3.9 mm | 3.9 mm | - |
| Brand | Vishay / Siliconix | Vishay / Siliconix | Vishay / Siliconix |
| Forward Transconductance Min | 45 S | 45 S | - |
| Fall Time | 12 ns | 12 ns | - |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| Rise Time | 10 ns | 10 ns | - |
| Factory Pack Quantity | 2500 | 2500 | 2500 |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | MOSFETs |
| Typical Turn Off Delay Time | 35 ns | 35 ns | - |
| Typical Turn On Delay Time | 15 ns | 15 ns | - |
| Part # Aliases | SI9926CDY-E3 | SI9926CDY-GE3 | SI9926BDY-E3 |
| Unit Weight | 0.006596 oz | 0.006596 oz | 0.017870 oz |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix |
SI9926CDY-T1-E3 | MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8 | |
| SI9926CDY-T1-GE3 | MOSFET 20V Vds 12V Vgs SO-8 | ||
| SI9926BDY-T1-E3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9926CDY-T1-GE3 | ||
| SI9926CDY-T1-GE3. | MOSFET DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) | ||
| SI9926CDY-T1-E3-CUT TAPE | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926CDY-T1-GE3-CUT TAPE | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926 SOP8-6 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926A | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926AD(9926A) | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926ADT-T1-E3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926ADY | MOSFET NCH DUAL MOSFET | ||
| SI9926ADY-T1 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926ADY-T1-E3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI9926CDY-T1-GE3 | ||
| SI9926ADY-T1-E3 9926A | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926ADY-T1-E3. | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926B | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926B/SOP8 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926BAZA | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926BD | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926BDY | MOSFET NCH DUAL MOSFET 2.5V (G-S) | ||
| SI9926BDY-T1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
| SI9926BDY-T1-E3. | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926BDYT1E3 | Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
| SI9926C | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926CDY | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926CDY-T1 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926CDY-TI-E3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926DY | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926DY-T1 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926DY-T1-E3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926DY-T1-E3. | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926DY-T1-E3/GE3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926DY-T1-GE3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926DYT1 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI9926M | ブランドニューオリジナル | ||
Vishay |
SI9926BDY-T1-E3 | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | |
| SI9926BDY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC | ||
| SI9926CDY-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC | ||
| SI9926CDY-T1-E3 | Trans MOSFET N-CH 20V 8A 8-Pin SOIC N T/R |