SIH

SIHH28N60E-T1-GE3 vs SIHJ10N60E-T1-GE3 vs SIHH27N60EF-T1-GE3

 
PartNumberSIHH28N60E-T1-GE3SIHJ10N60E-T1-GE3SIHH27N60EF-T1-GE3
DescriptionMOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8LMOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
ManufacturerVishayVishayVishay
Product CategoryMOSFETMOSFETMOSFET
RoHSYYY
TechnologySiSiSi
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMTSMD/SMT
Package / CasePowerPAK-8x8-4PowerPAK-SO-8L-4PowerPAK-8x8-4
Number of Channels1 Channel1 Channel1 Channel
Transistor PolarityN-ChannelN-ChannelN-Channel
Vds Drain Source Breakdown Voltage600 V600 V600 V
Id Continuous Drain Current29 A10 A29 A
Rds On Drain Source Resistance85 mOhms313 mOhms87 mOhms
Vgs th Gate Source Threshold Voltage4 V4.5 V2 V
Vgs Gate Source Voltage30 V30 V30 V
Qg Gate Charge86 nC25 nC135 nC
Minimum Operating Temperature- 55 C- 55 C- 55 C
Maximum Operating Temperature+ 150 C+ 150 C+ 150 C
Pd Power Dissipation202 W89 W202 W
ConfigurationSingleSingleSingle
Channel ModeEnhancementEnhancementEnhancement
PackagingReelReelReel
SeriesEEEF
BrandVishay / SiliconixVishay / SiliconixVishay / Siliconix
Fall Time54 ns13 ns59 ns
Product TypeMOSFETMOSFETMOSFET
Rise Time76 ns24 ns63 ns
Factory Pack Quantity300030003000
SubcategoryMOSFETsMOSFETsMOSFETs
Typical Turn Off Delay Time84 ns31 ns101 ns
Typical Turn On Delay Time29 ns16 ns28 ns
Unit Weight0.068784 oz0.017870 oz-
Transistor Type--1 N-Channel
Forward Transconductance Min--9.6 S
  • 皮切りに
  • SIH 797
メーカー モデル 説明 RFQ
Vishay / Siliconix
Vishay / Siliconix
SIHL630STRL-GE3 MOSFET 200V Vds 10V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHLL110TR-GE3 MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-223
SIHJ6N65E-T1-GE3 MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
SIHJ8N60E-T1-GE3 MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
SIHJ7N65E-T1-GE3 MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
SIHH28N60E-T1-GE3 MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
SIHJ10N60E-T1-GE3 MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
SIHH27N60EF-T1-GE3 MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
SIHJ240N60E-T1-GE3 MOSFET 600V Vds; +/-30V Vgs PowerPAK SO-8L
SIHJ690N60E-T1-GE3 MOSFET E Series Power MOSFET
Vishay
Vishay
SIHJ240N60E-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L
SIHH28N60E-T1-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8
SIHJ10N60E-T1-GE3 MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
SIHJ6N65E-T1-GE3 MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
SIHJ7N65E-T1-GE3 MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
SIHJ8N60E-T1-GE3 MOSFET N-CH 600V POWERPAK SO-8L
SIHH27N60EF-T1-GE3 MOSFET N-CH 600V 29A POWERPAK8
SIHJ8N60ET1GE3 Power Field-Effect Transisto
SIHL-MHAX-03 ブランドニューオリジナル
SIHL510 ブランドニューオリジナル
SIHL510-E3 ブランドニューオリジナル
SIHL510S ブランドニューオリジナル
SIHL540S ブランドニューオリジナル
SIHL540S-GE3 ブランドニューオリジナル
SIHL540STRL-GE3 SIHL540STRL-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 28 A, 100 V, 2+Tab-Pin TO-263
SIHL620S ブランドニューオリジナル
SIHL630S ブランドニューオリジナル
SIHLI520G ブランドニューオリジナル
SIHLI540G ブランドニューオリジナル
SIHLI630G ブランドニューオリジナル
SIHLIZ24G-E3 ブランドニューオリジナル
SIHLIZ34G ブランドニューオリジナル
SIHLL014 ブランドニューオリジナル
SIHLL014TR-GE3 N-CHAN.2,7A 60V VGS 5V SOT223
SIHLL024T-E3 ブランドニューオリジナル
SIHLL110 ブランドニューオリジナル
SIHLL110 BSP296N H6327 ブランドニューオリジナル
SIHLL110-GE3 ブランドニューオリジナル
SIHLL110T-E3 ブランドニューオリジナル
SIHLL110TRGE3 Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
SIHLR014 ブランドニューオリジナル
SIHLR014-E3 ブランドニューオリジナル
SIHLR014-GE3 ブランドニューオリジナル
SIHLR014TL-E3 ブランドニューオリジナル
SIHLR024 ブランドニューオリジナル
SIHLR024-E3 ブランドニューオリジナル
SIHLR024T-E3 ブランドニューオリジナル
SIHLR024TR-GE3 ブランドニューオリジナル
SIHLR024TRLGE3 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SIHLR110 ブランドニューオリジナル
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