SPD3

SPD30P06PGBTMA1 vs SPD30PF03L vs SPD31N05

 
PartNumberSPD30P06PGBTMA1SPD30PF03LSPD31N05
DescriptionMOSFET P-Ch -60V -30A DPAK-231 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
ManufacturerInfineon--
Product CategoryMOSFET--
RoHSY--
TechnologySi--
Mounting StyleSMD/SMT--
Package / CaseTO-252-3--
Number of Channels1 Channel--
Transistor PolarityP-Channel--
Vds Drain Source Breakdown Voltage60 V--
Id Continuous Drain Current30 A--
Rds On Drain Source Resistance69 mOhms--
Vgs th Gate Source Threshold Voltage4 V--
Vgs Gate Source Voltage20 V--
Qg Gate Charge48 nC--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 175 C--
Pd Power Dissipation125 W--
ConfigurationSingle--
Channel ModeEnhancement--
PackagingReel--
Height2.3 mm--
Length6.5 mm--
SeriesXPD30P06--
Transistor Type1 P-Channel--
Width6.22 mm--
BrandInfineon Technologies--
Forward Transconductance Min5.2 S--
Fall Time20 ns--
Product TypeMOSFET--
Rise Time11 ns--
Factory Pack Quantity2500--
SubcategoryMOSFETs--
Typical Turn Off Delay Time30 ns--
Typical Turn On Delay Time13 ns--
Part # AliasesG SP000441776 SPD30P06P SPD3P6PGXT--
Unit Weight0.139332 oz--
メーカー モデル 説明 RFQ
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SPD35N10 MOSFET N-Ch 100V 35A DPAK-2
Infineon Technologies
Infineon Technologies
SPD30P06PGBTMA1 MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
SPD35N10 MOSFET N-CH 100V 35A DPAK
SPD30PF03L ブランドニューオリジナル
SPD31N05 31 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
SPD32-010BF ブランドニューオリジナル
SPD32-050BF ブランドニューオリジナル
SPD3316T-1R0M-N ブランドニューオリジナル
SPD3472-95 ブランドニューオリジナル
SPD356-VY ブランドニューオリジナル
SPD356-XY ブランドニューオリジナル
SPD3912 ブランドニューオリジナル
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