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| PartNumber | SQD50N04-4M5L_GE3 | SQD50N04-5M6-T4GE3 | SQD50N04-09H-GE3 |
| Description | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD100N04-3M6LGE | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6T4GE | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3 |
| Manufacturer | Vishay | Vishay | Vishay |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| RoHS | Y | Y | E |
| Technology | Si | Si | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
| Package / Case | TO-252-3 | TO-252-3 | - |
| Number of Channels | 1 Channel | - | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | - | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 40 V | - | - |
| Id Continuous Drain Current | 50 A | - | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 3 mOhms | - | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 1.5 V | - | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 20 V | - | - |
| Qg Gate Charge | 130 nC | - | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - | - |
| Maximum Operating Temperature | + 175 C | - | - |
| Pd Power Dissipation | 136 W | - | - |
| Configuration | Single | - | - |
| Channel Mode | Enhancement | - | - |
| Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 | AEC-Q101 |
| Tradename | TrenchFET | TrenchFET | TrenchFET |
| Packaging | Reel | Reel | Reel |
| Height | 2.38 mm | 2.38 mm | - |
| Length | 6.73 mm | 6.73 mm | - |
| Series | SQ | SQ | SQ |
| Transistor Type | 1 N-Channel | - | - |
| Width | 6.22 mm | 6.22 mm | - |
| Brand | Vishay / Siliconix | Vishay / Siliconix | Vishay / Siliconix |
| Forward Transconductance Min | 105 S | - | - |
| Fall Time | 11 ns | - | - |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| Rise Time | 11 ns | - | - |
| Factory Pack Quantity | 2000 | 2500 | 2000 |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | MOSFETs |
| Typical Turn Off Delay Time | 39 ns | - | - |
| Typical Turn On Delay Time | 9 ns | - | - |
| Unit Weight | 0.011993 oz | - | 0.050717 oz |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix |
SQD50N04-5m6_T4GE3 | MOSFET 40V 50A 71W AEC-Q101 Qualified | |
| SQD50N06-09L_GE3 | MOSFET 60V 50A 136W AEC-Q101 Qualified | ||
| SQD50N10-8m9L_GE3 | MOSFET 100V 50A 45watt AEC-Q101 Qualified | ||
| SQD50N05-11L_GE3 | MOSFET 50V 50A 75W AEC-Q101 Qualified | ||
| SQD50N04-5m6_GE3 | MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified | ||
| SQD50N04-4M5L_GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD100N04-3M6LGE | ||
| SQD50N04_4M5LT4GE3 | MOSFET 40V Vds 20V Vgs TO-252 | ||
| SQD50N04-5M6-T4GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6T4GE | ||
| SQD50N04-09H-GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6_GE3 | ||
| SQD50N03-06P-GE3 | IGBT Transistors MOSFET 30V 84A 88W 6.5mohm @ 10V | ||
| SQD50N06-09L-GE3 | RF Bipolar Transistors MOSFET 60V 50A 136W 9.3mohm @ 10V | ||
| SQD50N02-04 | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N02-04L | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N03-06P | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N03-09-GE3 | MOSFET 30V 62A 7.1W 10mohm @ 10V | ||
| SQD50N03-3M1L | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N04-09H | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N04-3M5L | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N04-4M1 | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N04-4M5L-GE3 | N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSF | ||
| SQD50N04-4M5LT4GE3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N04-5M0-GE3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N04-5M6 | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N04-5M6-GE3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N05-11 | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N05-11L | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N05-11L-GE3 | Trans MOSFET N-CH 50V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA T/R | ||
| SQD50N06 | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N06-07L | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N06-07L-GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD97N06-6M3L_GE3 | ||
| SQD50N06-09L | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N06-15L-GE3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N10-8M9L | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N10-8M9L-GE3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SQD50N108M9L | ブランドニューオリジナル | ||
Vishay |
SQD50N06-09L_GE3 | MOSFET N-CH 60V 50A | |
| SQD50N04-4M5L_GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | ||
| SQD50N05-11L_GE3 | MOSFET N-CH 50V 50A TO252 | ||
| SQD50N04-09H-GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | ||
| SQD50N04-5M6L_GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | ||
| SQD50N04-5M6_GE3 | MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 | ||
| SQD50N10-8M9L_GE3 | MOSFET N-CHAN 100V TO252 |