STT

STT818B vs STT6N3LLH6 vs STT7P2UH7

 
PartNumberSTT818BSTT6N3LLH6STT7P2UH7
DescriptionBipolar Transistors - BJT PNP Lo-Volt Hi-GainMOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VIMOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
ManufacturerSTMicroelectronicsSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
Product CategoryBipolar Transistors - BJTMOSFETFETs - Single
RoHSYY-
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMTSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-6SOT-23-6-
Transistor PolarityPNPN-ChannelP-Channel
ConfigurationSingleSingleSingle
Collector Emitter Voltage VCEO Max- 30 V--
Collector Base Voltage VCBO- 30 V--
Emitter Base Voltage VEBO- 5 V--
Collector Emitter Saturation Voltage- 0.21 V--
Maximum DC Collector Current3 A--
Minimum Operating Temperature- 65 C-- 55 C
Maximum Operating Temperature+ 150 C+ 150 C+ 150 C
SeriesSTT818BSTT6N3LLH6STripFET
Height1.3 mm--
Length3.05 mm--
PackagingReelReelDigi-ReelR Alternate Packaging
Width1.75 mm--
BrandSTMicroelectronicsSTMicroelectronics-
Continuous Collector Current- 3 A--
Pd Power Dissipation1200 mW1.6 W-
Product TypeBJTs - Bipolar TransistorsMOSFET-
Factory Pack Quantity30003000-
SubcategoryTransistorsMOSFETs-
Unit Weight0.000229 oz0.000229 oz0.001270 oz
Technology-SiSi
Number of Channels-1 Channel1 Channel
Vds Drain Source Breakdown Voltage-30 V-
Id Continuous Drain Current-6 A-
Rds On Drain Source Resistance-25 mOhms-
Vgs th Gate Source Threshold Voltage-1 V-
Vgs Gate Source Voltage-10 V-
Qg Gate Charge-3.6 nC-
Channel Mode-Enhancement-
Tradename-STripFET-
Transistor Type-1 N-Channel Power MOSFET1 P-Channel
Fall Time-5.4 ns84.5 ns
Rise Time-11.2 ns30.5 ns
Typical Turn Off Delay Time-9.4 ns128 ns
Typical Turn On Delay Time-4.8 ns12.5 ns
Package Case--SOT-23-6
Operating Temperature--150°C (TJ)
Mounting Type--Surface Mount
Supplier Device Package--SOT-23-6
FET Type--MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Power Max--1.6W
Drain to Source Voltage Vdss--20V
Input Capacitance Ciss Vds--2390pF @ 16V
FET Feature--Standard
Current Continuous Drain Id 25°C--7A (Tc)
Rds On Max Id Vgs--22.5 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs th Max Id--1V @ 250μA
Gate Charge Qg Vgs--22nC @ 4.5V
Pd Power Dissipation--1.6 W
Vgs Gate Source Voltage--8 V
Id Continuous Drain Current--7 A
Vds Drain Source Breakdown Voltage--20 V
Vgs th Gate Source Threshold Voltage--1 V
Rds On Drain Source Resistance--22.5 mOhms
Qg Gate Charge--22 nC
  • 皮切りに
  • STT 1266
メーカー モデル 説明 RFQ
STMicroelectronics
STMicroelectronics
STT818B Bipolar Transistors - BJT PNP Lo-Volt Hi-Gain
STT6N3LLH6 MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
STT818B Bipolar Transistors - BJT PNP Lo-Volt Hi-Gain
STT6N3LLH6 MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
STT7P2UH7 MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
Infineon Technologies
Infineon Technologies
STT800N16P55XPSA1 Discrete Semiconductor Modules THYR / DIODE MODULE DK
STT800N16P55XPSA1 SCR MODULE POWERBLOCK PS55-1
STT6003TV1 ブランドニューオリジナル
STT60GK08 ブランドニューオリジナル
STT60GK08B ブランドニューオリジナル
STT60GK12 ブランドニューオリジナル
STT60GK14 ブランドニューオリジナル
STT60GK16 ブランドニューオリジナル
STT60GK16B ブランドニューオリジナル
STT60GK16BV ブランドニューオリジナル
STT60GK18 ブランドニューオリジナル
STT622S ブランドニューオリジナル
STT6301K ブランドニューオリジナル
STT6405 ブランドニューオリジナル
STT6601 ブランドニューオリジナル
STT6603 ブランドニューオリジナル
STT6P2UH7 ブランドニューオリジナル
STT70GK12 ブランドニューオリジナル
STT70GK14 ブランドニューオリジナル
STT70GK16 ブランドニューオリジナル
STT70GK16B ブランドニューオリジナル
STT70GK18B ブランドニューオリジナル
STT7105BKUC ブランドニューオリジナル
STT74LS126AB1 ブランドニューオリジナル
STT74S02B1 ブランドニューオリジナル
STT75DS2F ブランドニューオリジナル
STT774DB1 ブランドニューオリジナル
STT800GK08 ブランドニューオリジナル
STT800GK14 ブランドニューオリジナル
STT818A ブランドニューオリジナル
STT818A/818A ブランドニューオリジナル
STT818A/EBT818BA ブランドニューオリジナル
STT818B(818B) ブランドニューオリジナル
STT818R ブランドニューオリジナル
STT818R-ST ブランドニューオリジナル
STT8205 ブランドニューオリジナル
STT8205S ブランドニューオリジナル
STT840-600202-001-R5 ブランドニューオリジナル
STT866-1 ブランドニューオリジナル
STT8844 ブランドニューオリジナル
STT884D ブランドニューオリジナル
STT8856 ブランドニューオリジナル
STT886-1 ブランドニューオリジナル
STT886-6 ブランドニューオリジナル
STT8861 ブランドニューオリジナル
Top