T1G6

T1G600 vs T1G6000528-Q3 vs T1G6000528-Q3 28V

 
PartNumberT1G600T1G6000528-Q3T1G6000528-Q3 28V
DescriptionRF JFET Transistors .2GHz to 6GHz 28Volt 12.5dB GN at 6GHz 7W
ManufacturerTriQuint (Qorvo)--
Product CategoryTransistors - FETs, MOSFETs - Single--
SeriesT1G--
PackagingTray--
Part Aliases1092157--
Mounting StyleSMD/SMT--
TechnologyGaN SiC--
Transistor TypeHEMT--
Gain19 dB--
Pd Power Dissipation16 W--
Operating Frequency3. GHz--
Id Continuous Drain Current1.2 A--
Vds Drain Source Breakdown Voltage32 V--
Transistor PolarityN-Channel--
Maximum Drain Gate Voltage- 2.9 V--
メーカー モデル 説明 RFQ
T1G6001032-SM RF JFET Transistors DC-6GHz 32Volt GaN 10 Watt Peak
T1G600 ブランドニューオリジナル
T1G6000528-Q3 RF JFET Transistors .2GHz to 6GHz 28Volt 12.5dB GN at 6GHz 7W
T1G6000528-Q3 28V ブランドニューオリジナル
T1G6000528-Q3-EVB3 3.0- ブランドニューオリジナル
T1G6001032-SM EVAL BOAR ブランドニューオリジナル
T1G6001032-SM-EVB1 ブランドニューオリジナル
T1G6001528-Q3 RF JFET Transistors DC-6GHZ 28VOLT 18W GAIN 15DB
T1G6003028-FL RF JFET Transistors DC-6GHz 30Watt 28Volt GaN
T1G6003028-FS RF JFET Transistors DC-6GHz 28Volt 30W GaN on SiC HEMT
T1G6003028-FS-EVB1 RF Development Tools 5.4-5.9GHz EVAL BRD
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