SI7652DP-T1-E3

Mfr. #:: SI7652DP-T1-E3
メーカー:: Vishay / Siliconix
説明:: RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: SI7652DP-T1-E3 データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

製品属性
属性値

メーカー: Vishay / Siliconix

製品カテゴリ: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

包装: リール

パーツエイリアス: SI7652DP-E3

単位重量: 0.017870 oz

取り付けスタイル: SMD / SMT

パッケージ-ケース: SO-8

テクノロジー: Si

チャネル数: 1 Channel

構成: 独身

トランジスタタイプ: 1 N-Channel

Pd-電力損失: 3.9 W

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 55 C

立ち下がり時間: 14 ns

立ち上がり時間: 12 ns

Vgs-Gate-Source-Voltage: 25 V

Id-連続-ドレイン-電流: 15 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 30 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: 18.5 mOhms

トランジスタ-極性: Nチャネル

典型的なターンオフ遅延時間: 32 ns

典型的なターンオン遅延時間: 7 ns

チャネルモード: 強化

Tags: SI7652, SI765, SI76, SI7

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