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| PartNumber | SI7655DN-T1-GE3 | SI7655ADN-T1-GE3 | SI7652DP-T1-GE3 |
| Description | MOSFET -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III | MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S | MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V |
| Manufacturer | Vishay | Vishay | Vishay |
| Product Category | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| RoHS | E | Y | E |
| Technology | Si | Si | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-1212-8 | PowerPAK-1212-8 | PowerPAK-SO-8 |
| Number of Channels | 1 Channel | 1 Channel | - |
| Transistor Polarity | P-Channel | P-Channel | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 20 V | 20 V | - |
| Id Continuous Drain Current | 40 A | 40 A | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 3 mOhms | 3.6 mOhms | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 1.1 V | 500 mV | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 12 V | 10 V | - |
| Qg Gate Charge | 225 nC | 150 nC | - |
| Minimum Operating Temperature | - 50 C | - 50 C | - |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | + 150 C | - |
| Pd Power Dissipation | 57 W | 57 W | - |
| Configuration | Single | Single | - |
| Channel Mode | Enhancement | Enhancement | - |
| Tradename | TrenchFET | TrenchFET | TrenchFET |
| Packaging | Reel | Reel | Reel |
| Height | 1.04 mm | - | 1.04 mm |
| Length | 3.3 mm | - | 6.15 mm |
| Series | SI7 | SI7 | SI7 |
| Transistor Type | 1 P-Channel | 1 P-Channel | - |
| Width | 3.3 mm | - | 5.15 mm |
| Brand | Vishay / Siliconix | Vishay / Siliconix | Vishay / Siliconix |
| Forward Transconductance Min | 90 S | 90 S | - |
| Fall Time | 35 ns | 25 ns | - |
| Product Type | MOSFET | MOSFET | MOSFET |
| Rise Time | 45 ns | 10 ns | - |
| Factory Pack Quantity | 3000 | 3000 | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | MOSFETs | MOSFETs |
| Typical Turn Off Delay Time | 100 ns | 110 ns | - |
| Typical Turn On Delay Time | 45 ns | 13 ns | - |
| Part # Aliases | SI7655DN-GE3 | - | SI7652DP-GE3 |
| Unit Weight | 0.004233 oz | - | 0.017870 oz |
| メーカー | モデル | 説明 | RFQ |
|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix |
SI7655DN-T1-GE3 | MOSFET -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III | |
| SI7658ADP-T1-GE3 | MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8 | ||
| SI7655ADN-T1-GE3 | MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S | ||
| SI7652DP-T1-GE3 | MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V | ||
| SI7652DP-T1-GE3 | RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W 15.8mohm @ 10V | ||
| SI7652DP-T1-E3 | RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 15A 3.9W | ||
| SI7658ADP-T1-GE3-CUT TAPE | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7652 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7652CJ | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658A | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658ADP | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658ADP-T1 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658ADP-T1-E3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658ADPT1GE3 | Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 30V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ||
| SI7658ADY-T1-E3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658AK | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658DP | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658DP-T-1E3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658DP-T1 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658DP-T1-E3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7658ADP-T1-GE3 | ||
| SI7658DP-T1-GE3 | ブランドニューオリジナル | ||
| SI7658DP-T1-GE3,SI7658DP | ブランドニューオリジナル | ||
Vishay |
SI7655ADN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 40A 1212-8S | |
| SI7655DN-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 40A PPAK 1212 | ||
| SI7658ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |