SQJ200EP-T1_GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK-SO-8L-4

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A, 60 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

7.4 mOhms, 3.1 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

18 nC, 43 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

27 W, 48 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

1.04 mm

長さ：

6.15 mm

シリーズ：

SQ

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

5.13 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

55 S, 60 S

立ち下がり時間：

13 ns, 14 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

18 ns, 17 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13 ns, 19 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4 ns, 7 ns

単位重量：

0.017870 oz

Tags

SQJ200, SQJ20, SQJ2, SQJ