STB36NM60N

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

600 V

Id-連続ドレイン電流：

29 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

105 mOhms

Qg-ゲートチャージ：

83.6 nC

Pd-消費電力：

210 W

構成：

独身

資格：

AEC-Q101

商標名：

MDmesh

包装：

リール

シリーズ：

STB36NM60N

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

単位重量：

0.139332 oz

Tags

STB36NM, STB36, STB3, STB