PMDT290UNEYL

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-666-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、NPN

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

800 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

290 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

0.45 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

31 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

4 ns

ファクトリーパックの数量：

8000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

86 ns

典型的なターンオン遅延時間：

6 ns

Tags

PMDT290UN, PMDT2, PMDT, PMD