VP0106N3-G

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

250 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

バルク

高さ：

5.33 mm

長さ：

5.21 mm

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

FET

幅：

4.19 mm

ブランド：

マイクロチップテクノロジー

フォワード相互コンダクタンス-最小：

150 mS

立ち下がり時間：

4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4 ns

単位重量：

0.016000 oz

Tags

VP0106N3, VP0106N, VP0106, VP010, VP01, VP0