SI6954ADQ-T1-E3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSSOP-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

3.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

53 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

16 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

1.2 mm

長さ：

4.4 mm

シリーズ：

SI6

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

幅：

3 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

10 S

立ち下がり時間：

8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

10 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

23 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

パーツ番号エイリアス：

SI6954ADQ-E3

単位重量：

0.005573 oz

Tags

SI6954ADQ-T, SI6954A, SI6954, SI695, SI69, SI6