IXTQ86N20T

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3P-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

86 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

29 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

90 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

480 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

シリーズ：

IXTQ86N20

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

IXYS

立ち下がり時間：

29 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

24 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

52 ns

典型的なターンオン遅延時間：

22 ns

単位重量：

0.194007 oz

Tags

IXTQ8, IXTQ, IXT