BSS123NH6327XT

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

190 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.4 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

900 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.9 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.3 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

410 mS

立ち下がり時間：

22 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.2 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

7.4 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.3 ns

パーツ番号エイリアス：

BSS123N BSS123NH6327XTSA1 H6327 SP000870646

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS123NH6327X, BSS123NH63, BSS123NH, BSS123N, BSS123, BSS12, BSS1, BSS