PD57018STR-E

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

2.5 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

760 mOhms

利得：

16.5 dB

出力電力：

18 W

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerSO-10RF-Straight-4

包装：

リール

構成：

独身

高さ：

3.5 mm

長さ：

7.5 mm

動作周波数：

1 GHz

シリーズ：

PD57018-E

タイプ：

RFパワーMOSFET

幅：

9.4 mm

ブランド：

STMicroelectronics

チャネルモード：

強化

感湿性：

はい

Pd-消費電力：

31.7 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

600

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

単位重量：

0.105822 oz

Tags

PD57018S, PD5701, PD570, PD57, PD5