PGA26E19BA

Mfr. #:: PGA26E19BA
メーカー:: Panasonic
説明:: MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: PGA26E19BA データシート
配達:: DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:: PGA26E19BA 詳しくは

製品属性
属性値

メーカー: パナソニック

製品カテゴリ: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

RoHS: 詳細

チャネル数: 1 Channel

Vgsth-ゲート-ソースしきい値電圧: 4 V

Qg-ゲートチャージ: 120 nC

テクノロジー: Si

チャネルモード: 強化

ブランド: パナソニック

構成: 1 N-Channel

開発キット: -

秋の時間: -

フォワード相互コンダクタンス-最小: -

最低作動温度: - 55 C

立ち上がり時間: -

シリーズ: GaN-FET

トランジスタタイプ: 1 N-Channel

典型的なターンオフ遅延時間: -

典型的なターンオン遅延時間: -

Tags: PGA26E1, PGA26, PGA2, PGA

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Step1:
Vacuum Packaging with PL

Step2:
Anti-Static Bag

Step3:
Packaging Boxes

PGA26E19BA 説明

***asonic SCT: GaN Power Devices, 600V, DFN 8x8, RoHS

PGA26E19BA 詳しくは

PGA26E X-GaN Power Transistors: Panasonic PGA26E07BA and PGA26E19BA X-GaN Power Transistors are 600V Gallium Nitride power devices based on Gate Injection Transistor (GiT) technology. PGA26E X-GaN power devices deliver Normally-Off operation with extremely high-speed switching characteristics and zero recovery loss.

X-GaN Power Solutions: Panasonic 600V Gallium Nitride (X-GaN) is a very hard, mechanically stable wide bandgap semiconductor material with high heat capacity and thermal conductivity. In its pure form, it resists cracking and can be deposited in a thin film on Sapphire (AL2O3) or Silicon Carbide (SiC), despite the mismatch in their lattice constants. X-GaN can be doped with Silicon (Si) or with Oxygen to n-type and with Magnesium (Mg) to p-type; however, the Si and Mg atoms change the way the X-GaN crystals grow, introducing tensile stresses and making them brittle.

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
PGA26E19BA DISTI # 667-PGA26E19BA	Panasonic Electronic Components	MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN RoHS: Compliant	0	1:$18.2900 10:$17.0700 25:$16.2100
PGA26E19BA-SWEVB008 DISTI # 667-PGA26E19BASWEV8	Panasonic Electronic Components	Power Management IC Development Tools 600Vdc 190mOhm X-GaN 1/2 Bridge EVB RoHS: Compliant	19	1:$400.0000
PGA26E19BA-SWEVB006 DISTI # 667-PGA26E19BASWEVB6	Panasonic Electronic Components	Power Management IC Development Tools 600Vdc 190mOhm X-GaN Chopper EVB RoHS: Compliant	3	1:$300.0000
PGA26E19BA-DB001 DISTI # 667-PGA26E19BADB001	Panasonic Electronic Components	Power Management IC Development Tools SMD-ThruHole ConvKit 600VDC 190mohm X-GaN RoHS: Compliant	0	1:$45.0000

関連製品

画像	モデル	説明
	Mfr.#: PGA26E19BA OMO.#: OMO-PGA26E19BA	MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN
	Mfr.#: PGA26E07BA OMO.#: OMO-PGA26E07BA	MOSFET MOSFET 600VDC 70mohm X-GaN
	Mfr.#: PGA26E07-DB001 OMO.#: OMO-PGA26E07-DB001-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: PGA26E07-SWEVB008 OMO.#: OMO-PGA26E07-SWEVB008-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: PGA26E07BA OMO.#: OMO-PGA26E07BA-1190	MOSFET MOSFET 600VDC 70mohm X-GaN
	Mfr.#: PGA26E19-DB001 OMO.#: OMO-PGA26E19-DB001-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: PGA26E19-SWEVB008 OMO.#: OMO-PGA26E19-SWEVB008-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: PGA26E19BA OMO.#: OMO-PGA26E19BA-1190	MOSFET MOSFET 600VDC 190mohm X-GaN