R8010ANX

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220FP-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

800 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

560 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

Qg-ゲートチャージ：

62 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

40 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

4.8 mm

長さ：

15.4 mm

製品：

MOSFET

シリーズ：

R8010ANX

トランジスタタイプ：

1 N-channel

タイプ：

パワーMOSFET

幅：

10.3 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2.2 S

立ち下がり時間：

25 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

54 ns

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

97 ns

典型的なターンオン遅延時間：

43 ns

パーツ番号エイリアス：

R8010ANX

単位重量：

0.090478 oz

Tags

R8010, R801, R80