EFC6612R-TF

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

CSP-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

4.2 mOhms, 4.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

27 nC, 27 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

EFC6612R

トランジスタタイプ：

2 N-channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.7 S, 4.7 S

立ち下がり時間：

92 us, 92 us

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

640 ns, 640 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

11.8 us, 11.8 us

典型的なターンオン遅延時間：

30 ns, 30 ns

Tags

EFC6612, EFC661, EFC6, EFC