RDN100N20

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

200 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

360 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

30 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

35 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

バルク

高さ：

8 mm

長さ：

10 mm

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

4.5 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

立ち下がり時間：

26 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

29 ns

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

38 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

パーツ番号エイリアス：

RDN100N20FU6

単位重量：

0.211644 oz

Tags

RDN100N, RDN10, RDN1, RDN