CGH55015F2

Mfr. #:: CGH55015F2
メーカー:: N/A
説明:: RF JFET Transistors 4.5-6GHz 13Watt GaN Sm. Sig. Gain 12dB
ライフサイクル:: メーカー新製品
データシート:: CGH55015F2 データシート
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ECAD Model:
詳しくは:: CGH55015F2 詳しくは

製品属性
属性値

メーカー: Wolfspeed / Cree

製品カテゴリ: トランジスタ-FET、MOSFET-シングル

包装: トレイ

取り付けスタイル: スクリュー

動作-温度-範囲: -

パッケージ-ケース: 440166

テクノロジー: GaN SiC

構成: 独身

トランジスタタイプ: HEMT

利得: 12 dB

クラス: -

出力電力: 10 W

Pd-電力損失: -

最高作動温度: + 150 C

最低作動温度: - 40 C

応用: -

動作周波数: 4.5 GHz to 6 GHz

Id-連続-ドレイン-電流: 1.5 A

Vds-ドレイン-ソース-ブレークダウン-電圧: 120 V

Vgs-th-Gate-Source-Threshold-Voltage: - 3 V

Rds-On-Drain-Source-Resistance: -

トランジスタ-極性: Nチャネル

フォワード-相互コンダクタンス-最小: -

Vgs-ゲート-ソース-ブレークダウン-電圧: - 10 V to + 2 V

ゲート-ソース-カットオフ-電圧: -

最大ドレインゲート電圧: -

NF-雑音指数: -

P1dB-圧縮ポイント: -

Tags: CGH55015F2, CGH55015, CGH5501, CGH55, CGH5, CGH

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CGH55015F2 説明

***i-Key: RF MOSFET HEMT 28V 440166

***hardson RFPD: RF POWER TRANSISTOR

CGH55015F2 詳しくは

GaN HEMTs: Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.

Market price

モデル	メーカー	説明	ストック	価格
CGH55015F2 DISTI # CGH55015F2-ND	Wolfspeed	RF MOSFET HEMT 28V 440166 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Tray	133In Stock	1:$68.0200
CGH55015F2 DISTI # 941-CGH55015F2	Cree, Inc.	RF JFET Transistors GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt RoHS: Compliant	93	1:$68.0200 10:$64.3500 25:$62.5200 50:$61.6000 100:$61.1400
CGH55015F2 DISTI # CGH55015F2	Wolfspeed	RF POWER TRANSISTOR RoHS: Compliant	60	1:$68.0200

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画像	モデル	説明
	Mfr.#: CGH55015F1 OMO.#: OMO-CGH55015F1	RF JFET Transistors GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 15 Watt
	Mfr.#: CGH55030F1 OMO.#: OMO-CGH55030F1	RF JFET Transistors GaN HEMT 5.5-5.8GHz, 30 Watt
	Mfr.#: CGH55030F2 OMO.#: OMO-CGH55030F2	RF JFET Transistors GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 25 Watt
	Mfr.#: CGH55015F1/P1 OMO.#: OMO-CGH55015F1-P1-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH55015F2/P1 OMO.#: OMO-CGH55015F2-P1-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH55030F2/P1 OMO.#: OMO-CGH55030F2-P1-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH55030F2/P2 OMO.#: OMO-CGH55030F2-P2-1190	ブランドニューオリジナル
	Mfr.#: CGH5506194FLF OMO.#: OMO-CGH5506194FLF-1190	Thick Film Resistors - Through Hole
	Mfr.#: CGH55015F2 OMO.#: OMO-CGH55015F2-WOLFSPEED	RF JFET Transistors 4.5-6GHz 13Watt GaN Sm. Sig. Gain 12dB
	Mfr.#: CGH55030F1 OMO.#: OMO-CGH55030F1-WOLFSPEED	RF MOSFET HEMT 28V 440166