QS8J12TCR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSMT-8

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

4.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

29 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

1.5 V

包装：

リール

シリーズ：

QS8J12

ブランド：

ロームセミコンダクター

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

QS8J12

Tags

QS8J1, QS8J, QS8