QS8J13TR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSMT-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

5.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

15 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

Qg-ゲートチャージ：

60 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.5 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

QS8J13

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

ブランド：

ロームセミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8.5 S

立ち下がり時間：

200 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

100 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

400 ns

典型的なターンオン遅延時間：

13 ns

パーツ番号エイリアス：

QS8J13

単位重量：

0.196723 oz

Tags

QS8J1, QS8J, QS8