CSD75301W1015

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DSBGA-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.2 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

100 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

800 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.625 mm

長さ：

1.5 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

CSD75301W1015

トランジスタタイプ：

2 P-Channel

幅：

1 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

立ち下がり時間：

16 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

1.7 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

38 ns

典型的なターンオン遅延時間：

3 ns

単位重量：

0.000060 oz

Tags

CSD75, CSD7, CSD