NVMTS0D7N06CTXG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DFN-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

464 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

720 uOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

72 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

5 W, 294.6 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

250 S

立ち下がり時間：

42.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

29.3 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

127 ns

典型的なターンオン遅延時間：

39.7 ns

Tags

NVMTS0D7, NVMTS0D, NVMT, NVM